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AOD538

更新时间:2025-05-16 18:03:19

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AOD538 概述

AOD538是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。它采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件的封装形式为DPAK，适合表面贴装应用。其典型的最大漏源电压为30V，在栅极驱动电压为4.5V时，最大导通电阻仅为20mΩ。这种MOSFET适用于多种电源管理应用，例如直流-直流转换器、负载开关以及电池充电电路等。在直流-直流转换器应用中，它的低导通电阻有助于提高转换效率，减少功率损耗。当用作负载开关时，快速的开关速度可以降低切换过程中的能量损失。使用时应注意其最大功耗限制，确保散热设计合理以避免过热损坏。在实际电路设计中，可与控制IC配合使用，通过合适的栅极驱动电阻来优化开关速度和EMI性能。

AOD538 规格参数

现有数量
0现货
系列
AlphaMOS
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2160 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.2W（Ta），24W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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