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CSD25483F4

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BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
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品牌专营
6562
TI
SMD/2023+
原装正品渠道货源

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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

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3013
TI/德州仪器
DFN1006/2024+
只做原厂原装假一罚十可含税

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50000
Texas Instruments
MOSFET PCH 20V LGA/2020+
原装现货配单

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15988
Texas Instruments(德州仪器)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

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3000
TI
N/A/22+
深圳现货只做原装

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90000
TI
SMD/21+
原厂渠道，现货配单

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2500
TI
SMD/18+
原装价钱优势联系电话13692265127 /17876146278

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100000
-
TSSOP/20+
回收此型号，工厂呆料处理

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651
TI(德州仪器
PICOSTAR3/22+
进口原装，假一赔十

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82225
TI
PICOSTAR3/23+
推荐型号保证有料，维库外单专营15年

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6740
TI
PICOSTAR3/23+
只做原装

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3000
TI/德州仪器
15+/SMD
所有报价以当天为准

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3000
TI(德州仪器)
PicoStar3/20+
20+

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12000
TI
PICOSTAR/24+
只做原装，BOM表配单

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10000
TI
SMD/1444+
原装/长期回收原装IC

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14400
TI
-/21+
有挂就有，毋庸置疑，原装现货

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9208
TI
3XFDFN/22+
特价支持，只做原装现货

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10000
TI
PICOSTAR3/23+
-

CSD25483F4
4000
-
TSSOP/23+
只有原装，提供一站配套服务

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48000
TI
3XFDFN/23+
只做原装,提供一站式配套服务，BOM表秒报

CSD25483F4
60000
TI/德州仪器
(YJC) 3/25+
只做自己原装现货，10年保证

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92700
TI
ORIGINAL/23+
原装现货，支持BOM配单服务

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15000
TI
QFN/21+
原装，假一赔十

CSD25483F4
160000
MICROCHIP(美国微芯)
QFN28/21+
原装现货秉承原装

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5500
TI/德州仪器
PICOSTAR3/25+
原装，品质保障，可配单

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3705
TI 只做原装
PICOSTAR3/22+
只做原装实单必成假一罚十

CSD25483F4
10000
TI(德州仪器)
PICOSTAR3/22+
全新原装

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9999
Texas Instruments
3XFDFN/23+
优势价格渠道发货2-3周+Q详聊

CSD25483F4
9000
TI
3XFDFN/22+
代理渠道，原装现货

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12000
TI
SMD/24+
-

CSD25483F4T
5200
TI
402/20+
公司现货原装

CSD25483F4T
1
回收IC
N/A/25+
回收此型号CSD25483F4T

CSD25483F4T
15500
TI
(YJC)/25+23+
原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

CSD25483F4T
7764
TI(德州仪器)
PicoStar3/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

CSD25483F4T
15425
TI
(YJC)/23+
瑞智芯只有原装原装订货

CSD25483F4T
2578
TI
15+/3XFDFN
-

CSD25483F4T
10000
TI(德州仪器)
PICOSTAR3/21+
原装

CSD25483F4T
12000
TI(德州仪器)
PicoStar3/23+
全新原装现货

CSD25483F4T
-
TI实单请出接受价
21+/2250
原装现货假一赔十

CSD25483F4T
10000
TI
-/22+
全新原装进口

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CSD25483F4 概述

CSD25483F4是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET。它采用先进的PowerTrench®工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V栅源电压下典型值仅为4.8mΩ，这有助于减少传导损耗并提高能效。该器件适用于多种应用场景，如负载开关、电源管理中的同步整流等。其最大漏源电压（VDS）为30V，连续漏极电流（ID）在25°C时高达40A，能够满足大多数便携式设备和工业应用的需求。此外，CSD25483F4封装形式小巧，便于高密度PCB布局设计，在空间受限的设计中表现出色。在实际应用中，建议在电路设计时注意栅极驱动电路的设计以确保MOSFET可靠开启与关闭，并且考虑散热设计，虽然其功耗较低，但在大电流工作条件下仍需适当的散热措施。例如，可以使用小型散热片或通过PCB铜箔散热来增强散热效果。

CSD25483F4 规格参数

现有数量
9,004现货9,000Factory
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
205 毫欧 @ 500mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
0.959 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
198 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PICOSTAR
封装/外壳
3-XFDFN

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