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IPB12CNE8N G

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D2PAK(TO263)/2023+
Infineon/英飞凌代理商主营英飞凌原装进口...

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IPB12CNE8N G 规格参数

制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
85 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
67 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.0129 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263
封装
Reel
下降时间
8 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
125 W
上升时间
21 ns
工厂包装数量
1000
典型关闭延迟时间
32 ns
零件号别名
IPB12CNE8NGXT

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