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SI7288DP-T1-GE3

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SI7288DP-T1-GE3 概述

SI7288DP-T1-GE3是Vishay公司生产的一款N沟道MOSFET，采用PowerPAK SO-8封装。该MOSFET具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下典型值为6.8mΩ，能够有效降低导通损耗，适用于高效的DC - DC转换器和负载开关等应用。其最大漏源电压（VDS）为30V，连续漏极电流（ID）在25℃时高达40A。由于具有快速开关性能，可在高频开关电源电路中减少开关损耗，提高整体效率。在使用时应注意合适的散热设计以确保器件稳定工作，并且要根据实际电路需求选择合适的驱动电压来保证最佳的导通电阻性能。

SI7288DP-T1-GE3 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
19 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
565pF @ 20V
功率 - 最大
15.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8 Dual
包装
带卷 (TR)
其它名称
SI7288DP-T1-GE3TR

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