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SQ3427EV-T1_GE3

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SQ3427EV-T1_GE3
BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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SQ3427EV-T1_GE3
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
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SQ3427EV-T1_GE3
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SQ3427EV-T1_GE3
128000
承诺Vishay原装
TSOP6/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

SQ3427EV-T1_GE3
888
高价回收此IC
-/23+
回收全系列电子料元器件150-13067-403

SQ3427EV-T1_GE3
2303
VISHAY(威世)
6TSOP/2024+
原装真实库存如假包赔包换，徐小姐 QQ 2850166261

SQ3427EV-T1_GE3
10000
Vishay(威世)
TSOP6/-
只做原装，可回收IC,寻求渠道合作

SQ3427EV-T1_GE3
11980
VISHA可追溯到原厂
TSOP6/22+
只做原装价一赔亿挂了就有货

SQ3427EV-T1_GE3
813
Vishay 只售原装
TSOP6/2023+
原装现货，支持BOM配单

SQ3427EV-T1_GE3
12000
VISHAY
TSOP6/
-

SQ3427EV-T1_GE3
813
Vishay 只售原装
TSOP6/2024+
进口原装现货，支持BOM配单

SQ3427EV-T1_GE3
6000
Vishay
TSOP6/23+
原装实惠-支持月结

SQ3427EV-T1_GE3
21430
VISHAY/威
TSOP6/23+
原装现货，长期供应

SQ3427EV-T1_GE3
32100
Vishay(威世)
TSOP6/23+
原装现货一站式采购

SQ3427EV-T1_GE3
6740
VISHA可追溯到原厂
TSOP6/23+
只做原装

SQ3427EV-T1_GE3
80155
VISHAY
-/22+
原装/有挂有货

SQ3427EV-T1_GE3
65200
VISHAY(威世)
TSOP6/21+
-

SQ3427EV-T1_GE3
813
Vishay 只售原装
TSOP6/2024+
原装现货，支持BOM配单

SQ3427EV-T1_GE3
6000
VISHAY
21+16+/SOT233
原装现货

SQ3427EV-T1_GE3
36000
Vishay
6TSOP/2025+
只做原装有货

SQ3427EV-T1_GE3
1
Vishay(威世)
NA/24+
高价回收电子料

SQ3427EV-T1_GE3
24000
VISHAY
TSOP6/22
22

SQ3427EV-T1_GE3
999999
VISHAY(威世)
-/2024+
深圳现货只做原装芯引力电子 https//www.xyl-mlcc

SQ3427EV-T1_GE3
6000
VISHAY
-/25+
原装，现货库存

SQ3427EV-T1_GE3
7000
承诺Vishay原装
TSOP6/24+
原厂原装现货

SQ3427EV-T1_GE3
10000
Vishay
-/23+
-

SQ3427EV-T1_GE3
10000
Vishay(威世)
TSOP6/21+
原装

SQ3427EV-T1_GE3
12000
VISHAY/威世
-/2324
原装现货

SQ3427EV-T1_GE3
50000
VISHAY/(威世)
6TSOP/25+
原装进口现货

SQ3427EV-T1_GE3
60000
承诺Vishay原装
TSOP6/25+
只做自己原装现货，10年保证

SQ3427EV-T1_GE3
160000
MICROCHIP(美国微芯)
VQFN64/21+
原装现货秉承原装

SQ3427EV-T1_GE3
5550
VIS
-/25+
原装，品质保障，可配单

SQ3427EV-T1_GE3
78000
Vishay
-/-
-

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SQ3427EV-T1_GE3 概述

SQ3427EV-T1_GE3是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型的PowerPAK 1212封装，适合在紧凑空间内使用。其最大漏源电压（VDS）为30V，适用于低压应用电路中。此MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少能量损耗并提高整体效率，特别适合用于直流 - 直流转换器以及负载开关等需要高效功率管理的应用场景。同时，它也可以应用于电池供电设备、便携式电子设备等对尺寸和功耗有严格要求的产品中。在实际使用时，需注意遵循正确的驱动电压范围以确保可靠导通，并且在布局布线时尽量减小寄生电感以避免电压尖峰影响MOSFET性能。

SQ3427EV-T1_GE3 规格参数

现有数量
1,458现货
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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