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MJD31T4

更新时间:2025-06-08 10:34:28

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MJD31T4 概述

MJD31T4是ON Semiconductor公司生产的一款高电压大电流达林顿晶体管，采用TO-220封装。它包含一个NPN型达林顿对，集电极-发射极最大电压VCEO为80V，集电极最大电流IC为3A。该晶体管的直流电流增益hFE典型值为1000，在驱动继电器、螺线管和其他需要高电流增益的应用中表现出色。此外，MJD31T4具有内置的基极-发射极齐纳二极管，有助于保护器件免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。适用于工业控制、消费电子等领域的开关和放大电路设计中。在使用时需注意散热设计以确保其工作在安全温度范围内。

MJD31T4 规格参数

制造商
ON Semiconductor
产品种类
Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 A at 4 V
配置
Single
最大工作频率
3 MHz
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
封装
Reel
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
1.56 W
工厂包装数量
2500

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