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MUN2111T1G

更新时间:2025-07-03 13:00:36

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MUN2111T1G 概述

MUN2111T1G是安森美半导体生产的一款NPN晶体管，采用SOT-23封装，非常适用于空间受限的电路设计。此款晶体管具有低饱和电压特性，集电极-发射极最大电压为50V，最大集电极电流为200mA，适合在低功耗和信号放大应用中使用。其典型应用场景包括便携式设备、消费类电子产品以及各种通用开关和放大电路。在具体应用时，若用于开关电路，需注意基极电阻的选择以确保适当的基极电流驱动晶体管进入饱和区。例如，在3.3V供电系统中，可选择10kΩ的基极电阻来实现可靠开关操作。对于放大电路，应关注静态工作点设置，保证晶体管处于线性放大区，从而获得良好的信号放大效果。同时，在布板时要尽量缩短引脚长度以减少噪声干扰。

MUN2111T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
35 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
230mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SC-59
包装
带卷 (TR)
其它名称
MUN2111T1GOSMUN2111T1GOS-NDMUN2111T1GOSTR

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