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MUN5333DW1T1G

更新时间:2025-05-16 12:32:30

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说明
询价

MUN5333DW1T1G
BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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MUN5333DW1T1G
30
ONSemi/安森美
SC88/21+
原装有现货实单可谈

MUN5333DW1T1G
优势
325000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

MUN5333DW1T1G
优势
30
ONSemi/安森美
SC88/21+
原装有现货实单可谈

MUN5333DW1T1G
6740
ON
SOT363/23+
只做原装

MUN5333DW1T1G
86000
ON
SOT363/22+
原装正品，代理授传，假一赔百，可开13点票

MUN5333DW1T1G
5010
ON
SOT363/23+
公司现货只做原装

展会宣传
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927427
ON/安森美
N/A/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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11258
ON
SOT363/1902+
原装正品-正规渠道-增值税票

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6740
ON
SOT363/23+
只做原装

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7300
ON
SC706/23+
原装现货

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10125
ONSemicon
SOT3632/18+
国内库存，原装现货/特卖价

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62500
ON/安森美
-/-
原装最低价，认准华盛锦

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56520
ON
SOT363/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

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94560
ON
SOT363/23+
原装现货样品可出

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8500
ON/安森美
-/2025+
原装现货

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60000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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25000
ON/安森美
SC88/22+
只有原装原装，支持BOM配单

MUN5333DW1T1G
887000
ONS
-/-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827

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8500
ON/安森美
-/2025+
原装现货

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25000
ON/安森美
SC88/22+
只有原装原装，支持BOM配单

MUN5333DW1T1G
6000
ON/安森美
SOT363/23+
十年配单，只做原装

MUN5333DW1T1G
15000
ONSEMI
SEMI/21+
原装现货，全市最优价

MUN5333DW1T1G
15988
ON Semiconductor(安森美)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

MUN5333DW1T1G
5000
ONSemi
SOT363/21+
订货、调货

MUN5333DW1T1G
68460
ON
SOT363/21+
原装正品，可接受订货，

MUN5333DW1T1G
60000
ON/安森美
SOT363/21+
十年配单，只做原装

MUN5333DW1T1G
6000
ON/安森美
SOT363/22+
十年配单，只做原装

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60701
-
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

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10000
ONS
-/22+
全新原装进口

MUN5333DW1T1G
6740
ON
SOT363/23+
只做原装

MUN5333DW1T1G
7500
ON
SC706/20+
进品原装，现货库存可开17%增值票

MUN5333DW1T1G
10000
ON/安森美
NA/19+
全新进口原装，接受订货

MUN5333DW1T1G
330000
ON
SOT363/1720+
只做进口原装现货假一罚十

MUN5333DW1T1G
1891
ON SEMICONDUCTOR
-/-
公司现货只做原装

MUN5333DW1T1G
20918
ON
SOT363/2024
原装现货上海库存，欢迎咨询

MUN5333DW1T1G
121000
ON/安森美
SOT363/17+PB
17+PB

MUN5333DW1T1G
41800
-
TSSOP/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务

MUN5333DW1T1G
20000
ON/安森美
SOT363/25+
全新原装

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7300
ON
-/22+
只做原装，一站配齐

MUN5333DW1T1G
18000
ON/安森美
SOT363/22+
原装现货支持实单

MUN5333DW1T1G
8251
ON/安森美
SOT363/25+
全新原装

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MUN5333DW1T1G 概述

MUN5333DW1T1G是一款双NPN晶体管对，采用共发射极配置，由ON Semiconductor生产。每个晶体管的最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流为500mA，适用于低功耗模拟和数字电路应用。该器件具有较高的电流增益（β），适合用作开关或放大器。典型应用场景包括便携式设备、电源管理电路中的开关调节器以及信号放大。其小尺寸SOT-363封装有助于节省PCB空间，同时提供良好的热性能。在实际使用时，应注意遵循制造商推荐的散热设计和电气参数限制，以确保可靠运行。对于开关应用，需特别关注开关速度与功耗之间的平衡。

MUN5333DW1T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)
其它名称
MUN5333DW1T1G-NDMUN5333DW1T1GOSTR

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