Diodes发布新型封装平台及新系列分立器件

发布了dfn封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(qfn)技术，可超越sod和sot封装，达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mw/mm2，而sot-23和sod-123封装的功率密度仅分别为30mw/mm2和65mw/mm2，其高度为0.53mm，而sot-23和sod-123封装则分别为1.1mm和1.35mm。并且，这种封装的pcb占位面积仅0.77mm2，而sot-23和sod-123封装则分别为9.9mm2和7.6mm2。 dfn 1006-2和dfn 1006-3封装分别可用于两引脚和三引脚的器件。此外，该公司尚在开发可用于阵列的6引脚和8引脚qfn平台。 随dfn封装平台，diodes公司还发布了多种分立器件，包括四种肖特基二极管和电压为5.6v到24v的一系列齐纳二极管。该公司还计划采用无铅qfn封装技术来封装其开关二极管和npn/pnp晶体管。 这种无铅封装设计有助于器件更加有效地散热。因而其肖特基二极管和齐纳二极管的功率耗散均可达到250ww，比面积更大的表面贴装器件的散热效率更高。 该公司采用这种新