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PIN Diodes for RF Switching and Atte...
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SILICON PIN DIODE
ASI
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SILICON PIN DIODE
ASI [Advanced Semiconductor]
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n二极管的正向偏置限制在约为2.5ma。 只用一个pin二极管可进一步简化该电路，但这样做没有任何好处，因为sot-23或sot-323表面贴的二极管对和单个二极管的占位空间是一样的，而价格上的差别可忽略不计。 为*估lna/开关的性能，在以前为非旁路lna应用设计的电路板上搭建了一个原型。该pcb由rogers公司的ro4350b层压材料组成，当频率为10ghz是，z方向的介电常数是3.48。将该pin二极管与其相关的偏置元件直接焊在早先就存在于pcb上的元器件的引脚/焊盘上。两个1n5719 轴向玻璃二极管被用作d1的开关元件。在后来的pcb布局中，将用sot封装的pin二极管对(hsmp-3893/e型)取代这些二极管。 在我们关注的频率范围内，该lna的中位数增益为19.8db±1.3db(图6(a))。借助隔直电容c2的高通响应,对频率低于200mhz信号进行适度衰减，保证了频率响应的平坦。高频端增益的滚降与mmic的特点一致，且可能源自于未偏置pin二极管的寄生电容的负反馈。 在旁路模式，在整个频谱范围内，电路具有3.8到4.5db的衰减(图6(a))。
置问题~~~~.subckt 1b4b42 1 2 3 4d1 4 1 d1b4b42d2 2 1 d1b4b42d3 3 4 d1b4b42d4 3 2 d1b4b42.model d1b4b42 d+ is=6.543e-005 n=4.386e+000 rs=4.150e-002+ bv=150 + eg=1.110e+000 xti=3.000e+000 + fc=5.000e-001 kf=0.000e+000 af=1.000e+000.ends 1b4b42.subckt 1n5719 11 22* model generated by modpex **copyright(c) symmetry design systems** all rights reserved ** unpublished licensed software ** contains proprietary information ** which is the property of ** symmetry o
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