世俱杯 2025

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2n4920中文资料

  • 制造商:

    Central Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    PNP

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    80 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    5 V

  • 最大直流电集电极电流:

    1 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    40

  • 最大工作频率:

    3 MHz

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-126

  • 封装:

    Box

  • 集电极连续电流:

    3 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    30 W

  • 工厂包装数量:

    1000

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    1.0A/80V

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