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HY27UF081G2M供应商优质现货

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HY27UF081G2M价格行情

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HY27UF081G2M中文资料

  • HY27UF081G2M

    HY27UF081G2M引脚图高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用；NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设备Vcc＝2.7～3.6V； 存储器单元阵列：（2K＋64）字节×64页×1024块,（1K＋32）字×64页×1024块； 页面大小：（2K＋64备用的）字节；时钟大小：（128K＋4K各用的）字节； 页面读/编程：随机存取：27μs（最大值）,顺序存取：60ns（最小值）,页编程时间：300μs（典型值）； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制；高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms（典型值）； 电子特性：制造商代码,设备代码；芯片使能随意选项：具有微控制器的简单接口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定；数据的完整性：100000次编程/擦除周期,10年的数据保留；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装

  • ARM读写nand flash出现问题，请教大家

    arm读写nand flash出现问题，请教大家我使用的nand flash是现代的hy27uf081g2m，与三星的k9f1g08u0a管脚一样。但是无法读出正确的id号，下面我给出了电路连接关系和源程序，大家帮我分析分析，不甚感激。电路图连接关系如下： arm的d[0:7]---nand flash的d[0:7] arm的读信号/rd---nand flash的读信号/rd arm的写信号/wr---nand flash的读信号/wr arm的选通信号/cs2---nand flash的片选信号/cs arm的gpio1---nand flash的信号r/b arm的地址信号a2--nand flash的信号ale arm的地址信号a1--nand flash的信号cle对应的操作地址： 命令输入：0x04000002 地址输入：0x04000004 数据操作：0x04000000源代码：int8u nf_readbyte(){ int8u ret; ret=*((volatile int8u*)(0x04000000)); return r

HY27UF081G2M替代型号

HY27UF081G2A-TPCB HY27UB082G4M HY27UA081G1M HY1417LP HX8817 HX8802 HX8801 HX711 HX3021 HX3001

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