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结构:存储器元阵列:528×256K×8,寄存器:528×8,页面大小:528字节,块大小:(16K+512)字节;模式:读、重置、自动页面程序、自动块擦除、状态读、多块程序、多块擦除;模式控制:串行输入/输出,指令控制;电源电压:VCC=2.7~3.6V;程序/擦除周期:105周期(具有ECC);存取时间:元阵列到寄存器为25μs(最大值)、串行读周期为50ns(最小值);操作电流:读模式(50ns周期)时为10mA(典型值),程序模式(平均值)时为10mA(典型值),擦除模式(平均值)时为10mA(典型值),待机模式时为50μA;封装:48引脚的TSOP封装