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AM29LV800BT80EC
8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
AMD
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Advanced Micro Devices [8 Megabit (...
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8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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AM29LV800BT90EC
8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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接口电路组成。 本系统sdram采用hynix公司的hy57v561620。sdram与adsp-bf533的接口如图2所示。 图2 sdram与adsp-bf533的接口电路 hy57v561620是一款高速的同步动态存储器。由于其所有的寻址、刷新等操作都由集成在芯片内部的控制系统完成，因而使用非常简单。hy57v561620的存储空间为32mb，对于普通的视频应用绰绰有余，并且它加快了存取速度，因此可以在多媒体系统、视频采集与编辑系统等方面广泛应用。 本系统使用2片am29lv800bt，其byte#为8位或16位选择模式引脚，系统使用16位数据模式，所以此引脚接高电平；复位引脚reset#与cpld相连。 am29lv800bt与adsp-bf533接口图如图3所示。 图3 am29lv800bt与adsp-bf533接口电路 am29lv800bt为1mb，工作电压为2.7～3.6v，可以被配置为8位或者16位的数据宽度。它共有19个扇区，可以以8位（字节模式）或16位（字模式）数据宽度的方式工作。由于am29lv800bt内部具有升压电路，因此只需一个
态输出；可控制数据高低字节；输入输出引脚与ttl电平相兼容，它的lb引脚决定其低位字节是否有效，即数据位的低8位是否有效，而11ub引脚决定芯片的高字节是否有效，这两个引脚都是低电平有效；因为c5402型号的dsp的数据线为16位，所以is61lv12816(存储器)芯片的高低字节都应有效，即lb和ub都应该置低电平；ce是芯片的选通信号输入线，低电平有效；oe是芯片的读选通信号输入线，低电平有效；we是芯片的写允许信号输入线，低电平有效。 1．4 flash 该系统选用amd公司的am29lv800bt型号的flash，主要特征为：存储空间为512 kword，支持单电源操作，工作电源为3．3 v，可直接与c25402进行接口；采用cmos工艺，最快存取速度高达70 ns，可进行100 000次写入／擦写操作；支持块结构操作和块保护功能，防止对任何区段进行编程和擦除的硬件保护机制，并且与jedec标准兼容；可通过软件方法检查编程和擦除操作的状态，同时它的ready引脚和busy引脚可用于硬件方法检测编程和擦除操作的状态；具有擦除暂停／擦除恢复功能，在暂停／擦除操作过程中，支持读写不处于擦除状态
针对本系统设计要求, s3c2410a主机板原理框图如图4所示。选用两片hy58v561620ct- h, 构成16m×32位ram空间; 选用两片e28f128j3a150, 构成16m×32 位flash空间; cpld选用xc9536, 用于gpio地址译码和qep接口的实现, 选用dac8534a串行16位dac扩展数模转换接口, 采用cs8900a 以太网芯片扩展网络接口。 f2812-1主机板原理框图如图5所示, 选用is61v5126, 扩展256krom空间, 选用am29lv800bt扩展512kflash, 选用xc95144xl进行gpio地址译码, 选用an2131q作usb device的扩展, 在mcbsp串口上扩展16位dac8534a用于伺服的速度与力矩控制。特别的, f2812提供了完善的伺服电机接口, 它有两个事件管理器, 每个事件管理器包括两个通用计数器, 三个比较/pwm单元, 三个捕捉单元, qep通道。pwm和通用计数器配合可用作伺服控制器的位置控制模式输入, qep通道可用作伺服电机的位置编码器脉冲输入, 执行器终端的编码器信号通过cpld扩展qe
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