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AT28LV256 256K (32K x 8) Low Voltage Atmel AT28LV256PDF下载
AT28LV256-20 256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM ATMEL AT28LV256-20PDF下载
AT28LV256-20 256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM ATMEL [ATMEL Corporation] AT28LV256-20PDF下载
AT28LV256-25 ATMEL Corporation [256K 32K x 8 Low... ATMEL AT28LV256-25PDF下载
AT28LV256-20JC ATMEL Corporation [256K 32K x 8 Low... ATMEL AT28LV256-20JCPDF下载
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单片机外部接口分析与存储器扩展
，从而正确地对外设读写。 2 扩展存储器硬件设计 2.1 外部存储器与tms320f2812的接口电路设计 tms320f2812内置18 kb ram。为了使用方便，本系统又扩展了256 kb saram，芯片选用is61lv25616(256k×16位)，其数据访问时间为10 ns。由于tms320f2812采用统一寻址方式，因此扩展的saram既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时，为了保存掉电不丢失的数据，扩展了32 kbeeprom，选用at28lv256，32k×8位，用2片组成32k×16位。外扩存储器与tms320f2812的接口电路如图3所示，将saram分配在zone2，地址范围为0x80000～0xbffff，片选信号与tms320f2812的xzcs2相连。eeprom分配在zone6，地址范围为0x10000～0x107fff，片选信号xzcs6and7。来源:小草

AT28LV256
快速读取时间：200ns；自动页写周期：内部地址和数据锁存，内部控制计时器；快速字节写时间：页写周期时间：10ms（最大值），1～64字节页写操作；低功耗：正常工作时电流：15mA，CMOS待机电流：20μA；硬件和软件写保护；高可靠性CMOS技术：10000次循环擦写周期，10年数据保留时间；单电源供应电压：3.3V±10%；商业级和工业级温度范围

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