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负载失配情况，不过输出功率电平会低许多。 对于目前市场上的几款器件来说，20.0:1 vswr额定值甚至可能有些保守了。例如，恩智浦半导体公司（nxp）至少有一款大功率器件可以承受vswr为65.0:1甚至更高的负载失配，而飞思卡尔半导体 （freescale）正在交付的一系列器件也能在vswr为65.0:1或更高的负载失配条件下正常工作。这两种器件都是硅ldmos晶体管。 nxp在去年于美国马里兰州巴尔的摩市举行的ieee mtt-s国际微波大会（ims 2011）上就发布了型号为blf578xr的首款耐用型晶体管。class ab model blf578xr是该公司的流行型号blf578晶体管的耐用版本，适用于广播和ism频段应用，并可以匹配从高频至500mhz的应用。在100μs脉宽和20%脉冲占空比时，工作在225mhz的blf578xr可以提供1400w的峰值脉冲输出功率。该器件在这些条件下还能达到24db的功率增益和71%的典型漏极效率，并具有集成的静电放电（esd）保护功能。另外，blf578xr在108mhz、连续波状态下可提供1200w的额定输出功率。 为证明
blf578产品主要应用于激光、医疗领域，在离子加速器，调频广播、数字电视发射机等方面也有广泛的应用。blf578近期价格起伏不是很大，原装正品的价格稳定在1800元/pcs-2000元/pcs这一价格区间内，量大价优，部分商家反映库存不足。 产品型号：blf578 所属类型：射频功率管 制造商：nxp 封装类型：sot539a 产品详细参数 产品种类：rfmosfet小信号 rohs：是 配置：dualcommonsource 晶体管极性：n-channel 电阻汲极/源极rds（导通）：0.07ohms 汲极/源极击穿电压：110v 闸/源击穿电压：11v 漏极连续电流：88a 最大工作温度：+225℃ 安装风格：smd/smt 封装/箱体：sot502b 封装：bulk 最小工作温度：-65℃ 零件号别名：934063155112
功率和射频小信号方案。这些方案能够广泛用于广播、通讯、卫星和电视传播中。恩智浦以射频市场的技术领先优势，不断为客户提供功能强大、高效实用的解决方案。 本届ccbn恩智浦展出的射频功率演示中，blf888a功率放大器是能够支持470 - 860mhz完整超高频带dvb-t信号，平均输出功率120w，效率可达31%以上。21db高增益、出色的线性度和耐用性（驻波比vswr＞ 40:1）使blf888a成为dvb-t等高级数字发射机应用的理想选择。此外还展出了可用于工业,科学，医疗及广播发射机的blf578功率放大器。 在恩智浦的展位上还可以看到今日全球最新发布的 blf888b doherty 功率放大器参考设计。这款产品是超高频 (uhf) 和fm广播产品组合的最新成员，实现了突破性的50%的地面数字视频广播 (dvb-t) 效率，可显著降低uhf广播系统功耗。 恩智浦半导体大中华区rf功率和基站高级区域营销经理卓英浩表示：“凭借我们的最新产品，恩智浦以创新性uhf广播dvb-t解决方案，满足了市场对于更高漏极效率、更高输出功率以及更优质频段的需求。” 此外低功耗高性能的射频
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