BTA16-800CW3G
12500
TO220/23+
全新原装现货,价格优势
BTA16-800CW3G
109657
TO220/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
BTA16-800CW3G
140
-/-
只做原装,假一罚十
BTA16-800CW3G
10000
TO220AB/24+
原装现货
BTA16-800CW3G
12100
-/2014+
公司现货只做原装
BTA16-800CW3G
140
CONN/24+
原装现货,可以开票
BTA16-800CW3G
1500
-/2021+
原装现货可出样
BTA16-800CW3G
56000
NEW/NEW
一级代理保证
BTA16-800CW3G
140
/17+
17+
BTA16-800CW3G
20800
TO220AB/20+
优势库存原装现货特价热卖
BTA16-800CW3G
105000
N/A/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
BTA16-800CW3G
30000
TO220/24+
原装,一站式BOM配单
BTA16-800CW3G
26913
TO2203/-
400-800-8051
BTA16-800CW3G
4909
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
BTA16-800CW3G
3032
TO220/24+
原厂原装现货
BTA16-800CW3G
8000
21+/2024+
原装现货,支持BOM配单
BTA16-800CW3G
168000
TO220/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
BTA16-800CW3G
6607
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货
BTA16-800CW3G
90000
/25+
一级代理现货保证进口原装假一罚十价格合理
BTA16-800CW3G
6000
NA/NA
-
列器件适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。 btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造。 安森美半导体的bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供很好的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的dv/dt性能和三象限操作。 关键特性: 800伏(v)的阻塞电压 额定通态电流达均方根(rms) 16 a 对dv/dt具有2,000 v/us的免疫性 适合标准及无缓冲器设计 逻辑电平 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些器件采用隔离型to220封装。btaxxx系列的8a、12a 和16a版本每1,000片批量的预算单价分别为0.45、047和0
axxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: * 高达800伏(v)的阻塞电压 * 额定通态电流达均方根(rms) 16 a * 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 * 适合标准及无缓冲器设计 * 逻辑电平 * 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些
列器件适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。 btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造。 安森美半导体的bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供很好的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的dv/dt性能和三象限操作。 关键特性: 800伏(v)的阻塞电压 额定通态电流达均方根(rms) 16 a 对dv/dt具有2,000 v/us的免疫性 适合标准及无缓冲器设计 逻辑电平 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些器件采用隔离型to220封装。btaxxx系列的8a、12a 和16a版本每1,000片批量的预算单价分别为0.45、0
taxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: * 高达800伏(v)的阻塞电压 * 额定通态电流达均方根(rms) 16 a * 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 * 适合标准及无缓冲器设计 * 逻辑电平 * 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些器件采用隔离型t
axxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: - 高达800伏(v)的阻塞电压 - 额定通态电流达均方根(rms) 16 a - 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 - 适合标准及无缓冲器设计 - 逻辑电平 - 三象限和四象限的均衡门触发电流 这些器件采用隔离型to220封装。btaxxx系列的8 a、1