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30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
FAIRCHILD
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FDS6676S
30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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当越低越好； (2)应选择温度性能较好的器件封装形式： (3)额定漏源电压应大于15v； (4)所选mosfet应具有较低的门电荷，特别在高频工作状态时，更是如此。 对于低边mosfet，选择时首先应当考虑的是导通阻抗rds（on），原因是它的高边占空比较小，而导通阻抗对低边mosfet的功耗影响较大，将影响电路的dc/dc转换效率。对于图2电路，由于需要其输出的电流较大，因此电路中的每个通道都使用了两个低边mosfft。本设计中的s2～s3和s5～s6选择的是飞兆公司的fds6676s型mosfet管，该mosfet管的导通阻抗rds（on）为6mω。 在选择高边mosfet时，其门电荷和导通阻抗同样重要。因为高边mosfet的门电荷将影响转换速度并进而影响功耗。因此，应当综合考虑器件的门电荷和导通阻抗。实际上，对于大电流输出应用，如果电路的开关频率较高，高边mosfet也可以使用两个mosfet来进行设计。图2电路中使用的是飞兆公司的一个fds6694作为高边mosfet。 2.2 电感的选择 该电路使用了两个输出电感，而且两个输出电感分别分布在阿个通道上
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