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1200V NPT Trench IGBT
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FGA15N120ANTDTU_F109
IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W T...
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FGA15N120ANTDTU_F109
Fairchild
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飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 宣布推出1200v/15a npt-trench igbt，能够在电磁感应加热 (ih)电器中耐受高达300mj的雪崩能量；这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健 ”的故障安全操作，而非正常的雪崩情况通常会影响ih电器如微波炉、ih电饭煲和其它ih炊具等。fga15n120antd能在低导通损耗 (vce(sat), typ = 1.9v) 和低开关损耗 (eoff, typ = 0.6mj) 之间提供最佳的折衷平衡，从而提高效率并显著降低设备的工作温度。 飞兆半导体功能功率部副总裁taehoon kim称：“飞兆半导体的npt-trench igbt 能够在雪崩情况下获得出色的系统稳健性，这是ih设备的主要考虑因素，必须能在常见的不稳定供电和ac线路浪涌冲击的情况下正常操作。基于客户的需求，我们采用了专利技术来开发这款新型1200v/15a npt-trench igbt。fga15n120antd器件的性能出众，可为设计人员提供ih电器所需的高设备效率和高可靠性操作。” 飞
(电子市场网讯) 飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 宣布推出1200v/15a npt-trench igbt，能够在电磁感应加热 (ih)电器中耐受高达300mj的雪崩能量；这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健 ”的故障安全操作，而非正常的雪崩情况通常会影响ih电器如微波炉、ih电饭煲和其它ih炊具等。 fga15n120antd能在低导通损耗 (vce(sat), typ = 1.9v) 和低开关损耗 (eoff, typ = 0.6mj) 之间提供最佳的折衷平衡，从而提高效率并显著降低设备的工作温度。 飞兆半导体功能功率部副总裁taehoon kim称：“飞兆半导体的npt-trench igbt 能够在雪崩情况下获得出色的系统稳健性，这是ih设备的主要考虑因素，必须能在常见的不稳定供电和ac线路浪涌冲击的情况下正常操作。基于客户的需求，我们采用了专利技术来开发这款新型1200v/15a npt-trench igbt。fga15n120antd器件的性能出众，可为设计人员提供ih电器所需的高设备效率和高可靠性操作。” 飞兆半导体的
满足照明设备制造商的空间局限性和能效要求，飞兆半导体最近推出了采用dpak封装的600v superfettm mosfet。hamza yilmaz表示：“飞兆半导体专有的superfet技术可以让superfet器件采用更小的裸片尺寸，达到只有传统平面mosfet三分之一的导通电阻，以适应更小型电子镇流器的市场趋势。” 此外，飞兆半导体还推出了用于大功率感应加热/电磁加热(ih)电器的600v到1500v分立式igbt。为了满足感应加热器具的系统可靠性和延长寿命的需求，飞兆半导体开发了fga15n120antd这款1200v/15a npt-trench igbt，能够耐受高达300mj的雪崩能量。这种出色的雪崩性能十分重要，因为微波炉和电饭煲等ih电器易受异常雪崩模式情况的影响，而强大的雪崩性能可保证系统稳健的"故障安全"操作。 未来发展方向 hamza yilmaz：禁止使用含铅软焊料是半导体行业的一大挑战 作为半导体产业的两大分支之一，分立功率器件应用广泛，其中大分立、大电流、高反压、高频、高速、高灵敏度、低噪声分立器件由于不易集成或集成成本高，因此
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