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图1:应用trenchstop技术的rc-igbt 图2 :rc-igbt芯片(ihw20n120r)前视图 图3:基于trenchstop技术的最新一代rc2-igbt的沟槽栅截面图(沟槽栅里的洞是为分析准备) 图4 :igbt和二极管晶圆厚度变化 在典型饱和压降vce(sat)=1.6v@25℃/1.85v@175℃和典型正向电压vf=1.25v@175℃(额定电流)的条件下,功率损(特别是软开关应用的导通损耗)可大幅度降低。由ihw20n120r2的下降时间的切线可看出高速度—tf=24ns@25℃和rg=30ω(44ns@175℃)。ihw30120r2在下降时间方面是最为出色的:tf=33ns@25℃,rg=30ω;tf=40ns@175℃。(在硬开关条件下测量,参见带有eoff曲线的图6和图7)。 图5 :来自英飞凌科技的最新一代rc2-igbt(ihwxxn120r2,xx=15a、20a、25a和30a)。采用无铅电镀to-247封装 图6 : 在硬开关条件下,175℃结温以及室温下ihw20n120