标准包装:

1,000

类别:

分离式半导体产品

家庭:

FET - 单

系列:

-

FET 型:

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点:

标准型

漏极至源极电压(Vdss):

400V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

5.5A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

1 欧姆 @ 3.3A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:

38nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:

700pF @ 25V

功率 - 最大:

74W

安装类型:

通孔

封装/外壳:

TO-220-3

供应商设备封装:

TO-220AB

包装:

管件

其它名称:

*IRF730IRF730IR

IRF730 介绍

IRF730

5.5A/400V

常用晶体三极管.场效应管

类型 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 2sk2485 900 6 100 n 2sk2718 900 2.5/7.5 40 2sk2645 600 9 50 2sk798 100 40 150 irf630 200 9 75 * * nmos 2sk799 450 12 120 irf730 400 5.5 75 * * nmos 2sk850 100 40 125 mtp5p25 250 5 75 pmos 2sk1522 500 50 250 n 2sk1629 500 30 200 n 表六：音响功放配对三极管 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 型号

300kHz600WZVT--PWM boost变换器

器可设计开关频率为300khz、输出功率为600w、输出电压为300v的开关稳压电源。其输入电压为150～200v。 ls是饱和电抗器，用于消除lr和vt1输出电容之间的振铃，采用东芝尖峰抑制器(toshiba spike killer)sal0×6×4.5磁心，绕5匝。用快恢复二极管vd2阻止vtl本体二极管导通。假如没有二极管，会导通某些电流提供lr和vtl输出电容之间的谐振。这样当 vtl关断时，将承受反向恢复问题。 应当指出，辅助开关的电流额定值选择比主开关小很多。这里辅助开关采用irf730，(400v、5.5a、75w)，主开关采用irfp350(400v、16a、150w)。该电路在输入电压和负载范围内都工作在零电压开关，在满负载和最高输入电压下的最大效率达97％，而且噪音很低，实验波形和理论波形相一致。

请教一个boost电路的问题！！

请教一个boost电路的问题！！给学生设计一个boost电路的实验。为了分析输入输出和占空比的关系，电路没有反馈（这样也方便，哈哈）利用555产生pwm信号来驱动irf730。但是出现几个问题：1、mos管ds波形如文档所示（不会上传图片），不知道会是什么原因？2、mos管两端电压在关断时有很大毛刺，是不是可以通过加缓冲电路解决，一般这种电路加在mos两端还是二极管两端？//bbs.21ic.com/upfiles/img/20071/2007126202553306.rar

ST一级代理 特价长期供应如下型号

60z stps20h100ct hcf4060bey stth12r06fp stth15r06fp stth2003cfp hcf4094bey stth3003cw stw20nm60 stw26nm60 irf540 tda7439ds tda7561 irf630 irf640 irf730 lm324dt lm393dt m24c02-wbn6p m24c02-wbn6tp m24c04-wbn6p m24c08-wbn6p m24c08-wbn6tp m29w400bb90n1 ne555n st13003-k st13005 stp24nf10 stp55nf06 tip31

小弟最近做项目碰到了些困难,请大家一定 帮忙看看啊

成功了！awey，偶改用了irf730，输入电容在500p左右，然后根据zhang123朋友的建议r14改到了10欧姆，果然波形满足了要求，高兴ing,嘿嘿小弟在这里再次谢大家的帮忙！但是有一点还是不怎么明白，感觉上升沿的时候冲击比以前强了很多，有办法优化一下吗？？

我以前测绘的UPS电池充电电路

我以前测绘的ups电池充电电路 irf730工作频率由rt(3k)、ct(0.01uf)决定，f=1.8/(rt*ct)，大约在60k赫兹左右。输入电压：ac 36v 输出电压：dc 55v可调稳压