IRFI4024H-117P
7371
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
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9000
-/2010
原装无铅
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168000
TO2205/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRFI4024H-117P
4500
TO2205/07+
只做原装，也只有原装
IRFI4024H-117P
237902
TO2205/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
IRFI4024H-117P
5020
-/22+
进口原装现货
IRFI4024H-117P
5000
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
IRFI4024H-117P
28683
TO220/21+
原装现货终端免费提供样品
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7000
TO220F/23+
只做原装现货
IRFI4024H-117P
80000
-/23+
原装现货
IRFI4024H-117P
138000
TO2205/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRFI4024H-117P
25000
TO220F/22+
只做原装进口现货，专注配单
IRFI4024H-117P
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-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
IRFI4024H-117P
105000
TO220F/23+
十年配单，只做原装
IRFI4024H-117P
15922
/2423+
助力国营二十余载，一站式解决BOM配单，行业标杆企
IRFI4024H-117P
5800
TO220/23+
进口原装现货，杜绝假货。
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7300
-/23+
原装现货
IRFI4024H-117P
7300
-/25+
行业十年，价格超越代理， 支持权威机构检测
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52701
TO2205/22+
只做原装,专注海外现货订购20年
IRFI4024H-117P
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稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 新器件现已接受批量订货，各款产品均符合rohs。 来源:零八我的爱
时间生成电路，可以设置准确而稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 有关新器件的详细数据，可登录网站：//www.irf.com/whats-new/nr061207.html。新器件现已接受批量订货，各款产品均符合rohs。
时间生成电路，可以设置准确而稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 有关新器件的详细数据，可登录网站：//www.irf.com/whats-new/nr061207.html。新器件现已接受批量订货，各款产品均符合rohs。
，可以设置准确而稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 500)this.style.width=500;" border=0>
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