带有此标记的料号：
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2421
SOT523/06+
百分百原装环保现货只做原装
7931
SOT416/22+
原装有现货实单可谈
307
SOT416/1509
原厂授权渠道，现货
12000
SOT523/2025+520
--/专注替代/降本增效-
91003
SOT523/2323+2324+
我愿意亏本你拿什么和我玩
NTA4151PT1G
3200
SOT523/22+PB
进口原装现货，特价销售，库存数量不止，欢迎咨询
NTA4151PT1G
65200
SOT523/22+
全网价，认准华盛锦
NTA4151PT1G
90000
SOT523/24+
一级代理现货，保证进口原装假一罚十价格合理
NTA4151PT1G
180
SOT323/10+PB
原装现货，假一赔十
NTA4151PT1G
3000
SC75/24+
提供各类电子元件 元器件BOM配套服务
NTA4151PT1G
7931
SOT416/22+
原装有现货实单可谈
NTA4151PT1G
15000
SOT523/22+
原装现货，实单必成
NTA4151PT1G
192848
SOT523/23+
只会做原装进口其他的都不会
NTA4151PT1G
1620
SC75/1814+
只做原装
NTA4151PT1G
6258
SOT523/22+
只做原装
NTA4151PT1G
8888
SOT523/16+
原装现货 实单大力支持
NTA4151PT1G
150000
SOT323/21
21
NTA4151PT1G
354000
-/24/25+
原装BOM一站配单
NTA4151PT1
8500
SC75 SOT416/2025+
原装现货
NTA4151PT1
686868
SOT523/2025+
南科国产替代
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
NTA4151PT1GPDF下载
NTA4151PT1G
P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75;...
ON Semiconductor
NTA4151PT1GPDF下载
体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。rds(on)比目前同类封装的mosfet降低60％，可导通更大电流。 安森美半导体的沟道mosfet有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚
。 这些新型的低压mosfet采用安森美公司的trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为
的低压mosfet采用安森美公司的trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc
产品型号:NTA4151PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360
最大漏极电流Id(on)(A):0.760
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护
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