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ntd50n03rg中文资料

  • NTD50N03RG的技术参数

    产品型号:ntd50n03rg源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):11.700最大漏极电流id(on)(a):45通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:25v,45a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTD50N03RG的技术参数

    产品型号:NTD50N03RG
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    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700
    最大漏极电流Id(on)(A):45
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    描述:25V,45A,N沟道MOSFET
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ntd50n03rg替代型号

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