SGM2013-3.3XK3L/TR
7300
sop/21+
原装现货
SGM2013-3.3XK3L/TR
5000
-/22+
原装现货假一罚十
SGM2013-1.2XK3L/TR
5000
SOT893/23+
只做原装现货
SGM2013-3.3XK3L/TR
8300
sop/21+
原装现货
SGM2013-3.3XK3L/TR
30000
SOT89/22+
高端大芯片完美替代
SGM2013-3.3XK3L/TR
36000
-/19+20
-
SGM2013-1.2XK3/TR
54000
SOT893/2022+
专营圣邦微原装可开13%增值税发票
SGM2013-1.8XN3/TR
15000
SOT23/0934+
进口原装长期供应可供更多现货
SGM2013
41101
SOT893/-
大量现货，提供一站式配单服务
SGM2013
48000
SOT893/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
SGM2013
8000
NR/18+
一级代理圣邦微，可以提供技术
SGM2013
60701
SOT893/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
SGM2013
15800
SOT893/24+
旋尔只做进口原装，假一赔十...
SGM2013
21800
SOT893/23+
现货库存，如实报货，价格优势，一站式配套服务
SGM2013
5000
SOT893/23+
优势产品大量库存原装现货
SGM2013
8000
SOT893/22+
原装现货，配单能手
SGM2013
60000
SOT233/23+
现货原装
SGM2013
2000
SOT893/2024+
原厂原装现货库存支持当天发货
SGM2013
8700
-/2021+
原装现货
SGM2013
3000
SOT893/N/A
原装正品热卖，价格优势
SGM2013
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
SONY
SGM2013PDF下载
SGM2013
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
SONY [Sony Corporation]
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SGM2013N
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
SONY
SGM2013NPDF下载
SGM2013N
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
SONY [Sony Corporation]
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SGM2013-1.8
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
SGMICRO
SGM2013-1.8PDF下载
SGM2013-2.9
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
SGMICRO
SGM2013-2.9PDF下载
SGM2013-1.8XK3
300mA, Low Power, Low Dropout, 3 -Te...
SGMICRO [Shengbang Microelectronics Co, Ltd]
SGM2013-1.8XK3PDF下载
SGM2013-2.5XK3
Shengbang Microelectronics Co, Ltd ...
SGMICRO
SGM2013-2.5XK3PDF下载
SGM2013-2.7XK3
300mA, Low Power, Low Dropout, 3 -Te...
SGMICRO [Shengbang Microelectronics Co, Ltd]
SGM2013-2.7XK3PDF下载
SGM2013-2.8XK3
300mA, Low Power, Low Dropout, 3 -Te...
SGMICRO [Shengbang Microelectronics Co, Ltd]
SGM2013-2.8XK3PDF下载
圣邦微电子(sgmc)推出sgm2013系列低功耗、低压差ldo，其输出电流为300ma，具有过热、过载保护、输出电流限制、预置输出电压(全负载范围精度为±3%)特点。sgm2013当输出端接额定电压，输入端未接(floating)时，可防电流倒灌。 sgm2013系列ldo的输入电压为2.5v-5.5v；具有多种固定输出电压：1.8v、2.5v、2.7v、2.8v、2.9v、3.0v和3.3v；输出为300ma时压差为300mv；零负载时电源电流为77μa；输出300ma电流时电源电流为200μa。 sgm2013可应用于移动电话 、数码相机、mp3/mp4、usb、调制解调器、pc相机、手持设备、电子词典、手持电池供电设备等领域。sgm2013是无公害无铅环保产品，温度范围达到延长工业标准–40℃到+125℃，并采用sot23-3的小封装。 来源:小草
圣邦微电子(sgmc)推出sgm2013系列低功耗，低压差ldo，其输出电流为300ma，具有过热、过载保护，输出电流限制，预置输出电压(全负载范围精度为±3%)的特点。sgm2013当输出端接额定电压，输入端未接(floating)时，可防电流倒罐。 sgm2013系列ldo的输入电压为2.5v~5.5v；具有多种固定输出电压：1.8v、2.5v、2.7v、2.8v、2.9v、3.0v和3.3v；输出为300ma时压差为300mv；零负载时电源电流为77μa；输出300ma电流时电源电流为200μa。 sgm2013可应用于移动电话 、数码相机、mp3/mp4、usb、调制解调器、pc相机、手持设备、电子词典、手持电池供电设备等领域。 sgm2013是无公害无铅环保产品，温度范围达到延长工业标准–40℃到 +125℃，并采用sot23-3的小封装 来源:小草
器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即vout=(r1+r2)/r2 × vref。 实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。 ldo应用于开关电源 目前大多ic设计产商生产的低压差线性稳压器(ldo)典型封装都是sot23-5和sot23-3，如圣邦微电子的sgm2007，sgm2013。图3为sgm2007的典型应用电路图。 目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的开关频率100khz，用mos-fet制成的开关频率500khz电源。开关电源的突出缺点是产生较强的emi。emi信号既具有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。如果处理不当，开关电源本身就会变成一个干扰源。当用开关电源做为ldo的输入vin时要注意ldo电源抑制比和功耗。 电源抑制比 (psrr，power supply ripple r
误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即：vout=（r1+r2）／r2 ×vref 实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。 ldo应用于开关电源 目前大多ic设计产商生产的低压差线性稳压器（ldo）典型封装都是sot23-5和sot23-3，如圣邦微电子的sgm2007，sgm2013。如图（3）为sgm2007的典型应用电路图。 目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的开关频率100khz，用mos-fet制成的开关频率500khz电源。开关电源的突出缺点是产生较强的emi。emi信号既具有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。如果处理不当，开关电源本身就会变成一个干扰源。当用开关电源做为ldo的输入vin时要注意ldo电源抑制比和功耗。 电源抑制比psrr（power supply rippl
放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即vout=(r1+r2)/r2 × vref。 实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。 ldo应用于开关电源 目前大多ic设计产商生产的低压差线性稳压器(ldo)典型封装都是sot23-5和sot23-3，如圣邦微电子的sgm2007，sgm2013。 目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的开关频率100khz，用mos-fet制成的开关频率500khz电源。开关电源的突出缺点是产生较强的emi。emi信号既具有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。如果处理不当，开关电源本身就会变成一个干扰源。当用开关电源做为ldo的输入vin时要注意ldo电源抑制比和功耗。 电源抑制比 (psrr，power supply ripple rejection ratio)是反应ldo
放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，即vout=(r1+r2)/r2 × vref。 实际的低压差线性稳压器还具有如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等其它的功能。 ldo应用于开关电源 目前大多ic设计产商生产的低压差线性稳压器(ldo)典型封装都是sot23-5和sot23-3，如圣邦微电子的sgm2007，sgm2013。图3为sgm2007的典型应用电路图。 目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的开关频率100khz，用mos-fet制成的开关频率500khz电源。开关电源的突出缺点是产生较强的emi。emi信号既具有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。如果处理不当，开关电源本身就会变成一个干扰源。当用开关电源做为ldo的输入vin时要注意ldo电源抑制比和功耗。 电源抑制比 (psrr，power supply ripple rej
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