12000
DFN3X38/2025+520
--/专注替代/降本增效-
SI7114DN-T1-E3
100000
PowerPAK12128/24+
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180
QFN/11+PB
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QFN8/2023+
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SI7114DN
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QFN8/23+
原装现货
SI7114DN
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-/23+
原装现货
SI7114DN
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QFN8/21+
-
SI7114DN
Vaishali Semiconductor [N-Channel 3...
VAISH
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SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
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。在电池电量不足的情况下，该器件还能够通过转向100%占空比作为低压降(ldo)稳压器运行。 sip12202可在低端驱动n通道mosfet，以及在高端驱动p通道mosfet。在高端使用p通道mosfet可无需使用外部充电泵，同时还可简化高端栅极驱动。高达500khz的高频率运行可允许使用更小的无源元件，以缩减终端系统的体积。 由于vishay提供了兼容的控制器与mosfet器件，因此设计人员可获得面向高压及低压降压应用的全面解决方案。sip12201是为与vishay si7114dn n通道功率mosfet配合使用而进行了优化，而sip12202是为与si7106dn p通道及si7110dn n通道功率mosfet配合使用而进行了优化。 这两种新型降压控制器均包含补偿/关断引脚的组合，以及其它保护功能，例如欠压锁定、电源安全输出、输出电流限制及热关断。内部软启动功能可在启动时防止出现电压峰值。这两款控制器均采用无铅(pb)mlp33-10封装，并且工作范围均规定为-40℃～+85℃。目前，这两款新型降压控制器ic的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为6
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