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当前位置:维库电子市场网>IC>si9426dy 更新时间:2025-07-25 03:23:33

si9426dy供应商优质现货

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  • 原装二部只上传原装正品现货假一赔十

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si9426dy价格行情

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历史最低报价:¥2.0000 历史最高报价:¥4.5000 历史平均报价:¥3.2500

si9426dy中文资料

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 产品种类:

    MOSFET

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    20 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 8 V

  • 漏极连续电流:

    10.5 A

  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):

    12 m Ohms

  • 配置:

    Single Quad Drain Triple Source

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体:

    SOIC-8 Narrow

  • 封装:

    Reel

  • 下降时间:

    40 ns

  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):

    43 S

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    2.5 W

  • 上升时间:

    26 ns

  • 工厂包装数量:

    2500

  • 典型关闭延迟时间:

    145 ns

  • SI9426DY

    电流参数:ID=-10.5A电压参数:UDSS=20V/UGSS=±8V功 率: PD=2.5W其他参数:4.5V/12mΩ、2.7V/14mΩ极 性:N

  • 新颖中功率NPN三极管ZXTN系列

    e(sat) /ic 例如,在ic=6a,饱和管压降 vce(sat) =0.2v时,rsat=33mω。由于饱和管压降与ic大小有关,所以在rsat的数值前要注明ic值。例如,在ic=6a时,rsat=33mω。如果已知ic=6a时,rsat=33mω,则可以按pd=rsat×ic2求出管耗值,例如,ic=6a时,rsat= 33mω,则pd为:pd=rsat×ic2 = 33mω×(6a)2=1.188w 用rsat这个参数可以与mosfet的rds(on)作一个比较。例如,型号为si9426dy的n沟道功率mosfet是20世纪90年代的产品,在vgs=4.5v时,其rds(on) =135mω,而zxtn系列在ic=6.5a时,rsat=23~30mω。 hfe参数的表达方式 在一般的双极型三极管的参数资料中,共发射极直流放大系数hfe是一个确定的ic、一个确定的vce条件下给出的。例如,某低频功率三极管的hfe是在ic=0.5a,vce=10v时,给出hfe=15~180。工厂常用不同颜色的色点给hfe分档,如红色点为15~40。 实际上,同一三极管在不同ic时,其hfe有很大变化

si9426dy替代型号

SI9410DY SI9183DT SI9122A SI9120 SI9114 SI8500 SI84XXISO-KIT SI8440-C-IS SI8400 SI8250DK

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