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当前位置:维库电子市场网>IC>sihg20n50c 更新时间:2025-07-27 07:23:12

sihg20n50c供应商优质现货

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sihg20n50c价格行情

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历史最低报价:¥4.7500 历史最高报价:¥4.7500 历史平均报价:¥4.7500

sihg20n50c中文资料

  • Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品

    日前,vishay intertechnology, inc.宣布,推出新型500v电压的功率mosfet——sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c,将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压,在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗,从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量,这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻,这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是*价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom),这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性,器件经过了100%的雪崩测试,可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能量。器件可处理72a的脉冲电流和18a的连续电流

  • Vishay宣布推出新款500V功率MOSFET

    日前,vishay intertechnology, inc.宣布,推出新型500v电压的功率mosfet --- sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c,将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压,在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗,从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量,这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻,这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom),这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性,器件经过了100%的雪崩测试,可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能 量。器件可处理72a

  • Vishay推出新款500V功率MOSFET系列产品

    日前,vishay intertechnology, inc.宣布,推出新型500v电压的功率mosfet——sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c,将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压,在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗,从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量,这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻,这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom),这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性,器件经过了100%的雪崩测试,可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能量。器件可处理7

sihg20n50c替代型号

SIEMENS SIE20034 SIBYTE SI9979CS SI9979 SI9953DY SI9933DY SI9731 SI9717 SI9435A

SII1161 SII141 SII160CT100 SII164 SII3512 SII9002 SII9011 SII9022EBU SII9024EBU6 SII9030

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