SST39SF020A-55-4I-WHE
8000
TSOP32/23+
原装，假一赔十
SST39SF020A-55-4C-NHE
10000
PLCC/20+
原装现货 询价加Q
SST39SF020A-70-4C-NHE
9000
PLCC32/23+
只售原装，假一罚十
SST39SF020A-70-4C-NHE
4770
PLCC32/24+
原装认证支持实单只做原厂原装
SST39SF020A-55-4I-WHE-T
11500
TSOP32/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
SST39SF020A-70-4C-NHE
5
PLCC32/0645+
自己现货特价
SST39SF020A-70-4C-NHE
3168
PLCC32/23+
原装假一赔十QQ373621633
SST39SF020A-70-4I-NHE
804
PLCC32/0933+
原装二部只上传原装正品现货假一赔十
SST39SF020A-70-4C-NH-T
3012
PLCC/08+
此产品原装优势现货本公司是能开17%税票单位精专于为...
SST39SF020A-70-4C-PH
1100
DIP32/-
原装现货 力挺实单
SST39SF020A-70-4I-NH
10000
/23+
-
SST39SF020A-70-4C-NHE
2
PLCC32/16+
原装出价就卖
SST39SF020A-70-4C
1500
PLCC32/2017+
百分百现货，收购库存IC，量大发货
SST39SF020A-70-4C-PHE
15000
DIP32/21+
原装现货假一罚十
SST39SF020A-70-4I-NH
100
10+/PLCC32
全新原装现货库存
SST39SF020
41101
TSOP/-
大量现货，提供一站式配单服务
SST39SF020
12260
TSSOP/23+
高品质 优选好芯
SST39SF020
48000
TSSOP/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
SST39SF020
68500
TSSOP/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
SST39SF020
60701
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
SST39SF020A
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-...
SST
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SST39SF020A
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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SST39SF020-70-4C-N
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST
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SST39SF020-70-4C-N
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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SST39SF020-70-4C-P
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST
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2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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SST39SF020-70-4C-U
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST
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SST39SF020-70-4C-U
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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SST39SF020-70-4C-W
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST
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SST39SF020-70-4C-W
2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose F...
SST [Silicon Storage Technology, Inc]
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地应用于嵌入式系统的电路设计中。 与同容量的其他类型存储器相比，39sf系列闪速存储器具有明显的优点。39sf020的字节写入速度可达20μs，明显高于e2prom型存储器。而价格又远低于同容量的非易失性静态存储器(nvsram)，芯片读写速度满足绝大多数场合，是一种性价比很高的存储器。 39sf020适用于需要程序在线写入或大容量、非易失性数据重复存储的场合，其基于super flash技术的cmos电路设计可以在降低功耗的同时显著提高系统的稳定性。 1 sst39sf020性能特点 1．1 sst39sf020的主要特性 (1)按256kb x 8b结构组织。 (2)单一十5v供电下的读写操作。 (3)高性能的使用寿命：读写操作可达100 000次，数据保存时间大于100年。 (4)低使用功耗：芯片选通条件下工作电流为10ma，非选通条件下工作电流为3μa。 (5)扇区擦除能力：4 kb空间为基本擦除单位。 (6)读取数据时间：45-70ns。 (7)地址和数据锁存功能
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