STD60N3LH5
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TO252/10+
泽芯微售出每颗芯片只能是原装83227865
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NEW/NEW
一级代理保证
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70000
SOP/-
原装 免费送样 一站式元器件采购商城
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TO252/14+
原装现货热卖中
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DPAK/-
原装
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DPAK/-
只做原装，也只有原装
STD60N3LH5
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10+/TO252
原装进口环保假一赔十
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300000
TO252/23+
一级代理商可提供技术方案支持
STD60N3LH5
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DPAK/TO252/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代
STD60N3LH5
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TO252/22+
特价支持，只做原装现货
STD60N3LH5
10000
TO 252 DPAK/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
STD60N3LH5
50000
21+/TO252
原装现货，支持BOM配单
STD60N3LH5
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DPAK/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
STD60N3LH5
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TO252/22+
进口原装现货
STD60N3LH5
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TO252/22+
100%原装正品深圳现货
STD60N3LH5
12260
TO252/23+
高品质 优选好芯
STD60N3LH5
60701
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
STD60N3LH5
51300
TO252/24+
原装现货，可提供订货服务
STD60N3LH5
5000
TO252/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
STD60N3LH5
5000
TO252/2025+
原装现货，实单支持
STD60N3LH5
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
STD60N3LH5PDF下载
直流转换器的全新功率mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
的全新功率mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
-直流转换器的全新功率mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
新功率mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流—直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
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