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stp42n65m5供应商优质现货

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stp42n65m5价格行情

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历史最低报价：￥25.0000 历史最高报价：￥67.0000 历史平均报价：￥50.5000

stp42n65m5中文资料

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  • 产品培训模块:

    5th Generation High Voltage Mosfet Technology

  • 特色产品:

    MDmesh V Series Mosfets

  • 标准包装:

    50

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    MDmesh™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    650V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    33A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    79 毫欧 @ 16.5A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    5V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    100nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    4650pF @ 100V

  • 功率 - 最大:

    190W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商设备封装:

    TO-220-3

  • 包装:

    管件

  • 工具箱:

    497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH

  • 其它名称:

    497-8791-5

  • ST最新的MDmesh V技术达到业内最低单位芯片面积导通电阻

    功率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布，功率mosfet芯片性能方面取得巨大突破，最新的mdmesh v技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。mdmesh v让新一代650v mosfet将rds(on)降到0.079ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。 33a的stp42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh v产品在

  • ST最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻

    意法半导体是功率半导体产品的全球领导者，近日宣布：最新的mdmesh v技术功率mosfet芯片性能方面取得巨大突破，达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。mdmesh v让新一代650v mosfet将rds(on)降到0.079ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。 33a的stp42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh

stp42n65m5替代型号

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