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STP3NK80Z

更新时间:2025-06-21 19:51:30

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MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220

封装:TO-220-3

STP3NK80Z 概述

STP3NK80Z是一款由意法半导体生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压应用，具有800V的漏源击穿电压。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理和转换电路中表现出色。典型应用场景包括开关电源、适配器、LED驱动器以及工业控制设备中的高压开关电路。在实际应用中，建议在栅极串联一个适当的电阻以控制开关速度并减少EMI。由于其高耐压特性，在PCB布局时需注意保持足够的爬电距离，避免高压部分与低压信号线路之间的干扰。此外，为了确保可靠工作，应参考数据手册提供的最大额定值进行电路设计，并适当考虑散热设计。

STP3NK80Z 规格参数

其它有关文件
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标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
485pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
497-4379-5

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