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2SK3418
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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2SK3418-E
Silicon N Channel MOS FET High Speed...
RENESAS [Renesas Technology Corp]
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，但没有办法避免，在mos管的驱动电路设计时再详细介绍。 2、mos管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4v或10v就可以了。 pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接vcc时的情况(高端驱动)。但是，虽然pmos可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用nmos。 右图是瑞萨2sk3418的vgs电压和vds电压的关系图。可以看出小电流时，vgs达到4v，ds间压降已经很小，可以认为导通。 3、mos开关管损失 不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，因而在ds间流过电流的同时，两端还会有电压(如2sk3418特性图所示)，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。mos
麻烦一些，但没有办法避免，在mos管的驱动电路设计时再详细介绍。 2、mos管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4v或10v就可以了。 pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接vcc时的情况(高端驱动)。但是，虽然pmos可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用nmos。 下图是瑞萨2sk3418的vgs电压和vds电压的关系图。可以看出小电流时，vgs达到4v，ds间压降已经很小，可以认为导通。 3、mos开关管损失 不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，因而在ds间流过电流的同时，两端还会有电压(如2sk3418特性图所示)，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。mos两端的电
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