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  • 请教MOSFET对dv/dt的耐受性

    请教mosfet对dv/dt的耐受性mosfet一般是不会发生二次击穿的.但如果漏源电压增长太快,则mosfet内部的寄生晶体管会发生二次击穿.这就有了mosfet对dv/dt的耐受性的问题.遗憾的是只有很少的mosfet管的参数中有dv/dt的耐受能力这一项(倒是有二极管恢复速度参数,量纲也是dv/dt).例如2sk3728与2sk3530,它们的二极管恢复速度都是5v/ns,它们的dv/dt的耐受能力都是40v/ns.目前我遇到这样一个问题.我朋友的电路经常烧坏管子5n80,查不出原因,我就像到会不会是漏极电压上升率太快,就在示波器上观察,得知其电压上升率最大值是10v/ns.但其手册中没有标明其dv/dt的耐受能力,只标明其二极管恢复速度是5v/ns.那么,该管经常损坏的原因是否可能是它不能耐受10v/ns的电压上升率呢?10v/ns的电压上升率对那些早年的型号的mosfet管是否太严酷?

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