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fdz191p供应商优质现货

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fdz191p价格行情

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fdz191p中文资料

  • 飞兆半导体新款小体积高性能功率MOSFET适用于便携式产品

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)，因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有"绿色"和rohs标准。 飞兆半导体低压功率产品部市务

  • Fairchild推出P沟道MOSFET器件

    飞兆半导体公司 (fairchild) 推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压 (<20v) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench® mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (wl-csp)，因而具有出色的热阻 (83℃/w) 和低rds(on) (4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装，与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和rohs标准。 飞兆半导体低压功

  • 飞兆半导体新款小体积高性能功率MOSFET适用于便携式产品

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)，因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有"绿色"和rohs

  • 飞兆半导体MOSFET器件FDZ191P可工作于1.5V低电

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)，因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和rohs标准。 fdz191p的

  • 飞兆半导体推出体积最小的高性能功率 MOSFET以优化低压功率管理应用

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压 (<20v) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrench mosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (wl-csp)，因而具有出色的热阻 (83℃/w) 和低rds(on) (4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装，与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求

fdz191p替代型号

FDW2520C fdv302p FDV301N FDS9945 FDS9926A FDS9926 FDS9435A FDS8817NZ FDS8813NZ FDS8812NZ

FDZ197PZ FDZ204P FDZ299P FDZ371PZ FDZ391P FDZ5047N FDZ7064S FE100 FE2.1 FE20

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fdz191p相关热门型号
FAN5009MX FAN4010IL6X FST3253MTCX FR107W FS312F-G FA5511N-D1-TE1 FDC6036P FSA5157L6X FAN6520AMX FP6131-18GS3PTR

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