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  • 负载开关:按需要提供高效电源

    器公司(ir)和飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)。ir公司的20v、5.1a的irf6100 pmos器件的沟道电阻在vgs 为-4.5v时为65mw,在vgs为-2.5v时增大到95mw。售价为0.35美元(批量1,000件)的irf6100,采用边长只比1.5mm稍大的4球csp封装,其最大连续漏极电流在70℃温度下为3.5a(图2)。 图 2 ir公司把一个20v、5.1a开关装在一个边长稍大于1.5mm 的4球csp的封装中。 飞兆半导体公司的fdz204p,其尺寸仅为2×2mm,售价为1.02美元(批量1,000件)。这种20v、4.5a pmos器件的沟道电阻在vgs为-4.5v和-2.5v时分别为45mw和75mw。在因测试条件不同而调整标定的数据表最大值后,fdz204p的只有13nc栅极电荷比irf6100少20%左右。飞兆公司将fdz204p装在一个12球bga封装中。 即使导通电阻为毫欧姆数量级,这些小型csp也需要考虑散热设计问题--当考虑到热阻rθjb(pn结到球)和rθjc(pn结到外壳)时,这一点真是出人意外。例如,飞兆公司

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