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IS61LV256
32K X 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
ICSI
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IS61LV256
32K X 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
ICSI [Integrated Circuit Solution Inc]
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IS61LV2568
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
ISSI
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IS61LV2568
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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IS61LV25616
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CM...
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IS61LV25616
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IS61LV2568L
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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p & port6; ce1=write &port8#ce &!(write &port9)#ce &port8; ce2=write & portb#ce&!(write & portc)#ce &portb; we=write & (port0#port1); re=read&port0;4 软件流程 下面重点介绍通过单片机对am30lv0064d进行数据编程的软件流程：单片机启动编程程序，将is61lv256中的数据读出后再写到flash中，每次写512字节的数据（半页为256字节）。然后，对相应页进行编程，编程命令字写入后定期查询ry/by引脚，看编程是否已经完成，如果完成再读取flash的状态寄存器，可以知道编程是否成功。具体流程如图3所示。 来源:xiangxueqin
ram的读/写地址。smart card的数据存储在sram中，之后取出并解码以备lcd显示之用。 (4)lcd controllcd control逻辑接收解码数据，并将其输出到lcd屏。 (5) level shifter电平转换芯片ncn6011，完成smart card的5v信号到cpld的1.8v信号转换。 (6)lcd displayokaya公司的rc1602ars为16个字符，两行点阵的lcd，屏上带有控制器和lsi驱动。 (7).sram32k×8位issi的is61lv256 sram。 (8)smart card acceptoramphenol c702 10m008 2834是一个低成本smart card接收器。 来源:ks99
第三种是高速sram切换方式。高速sram只有一套数据、地址和控制总线，可通过三态缓冲门分别接到a/d转换器和控制器上。当a/d采样时，sram由三态门切换到a/d转换器一侧，以使采样数据写入其中。当a/d采样结束后，sram再由三态门切换到控制器一侧进行读写。这种方式的优点是sram可随机存取，同时较大容量的高速sram有现成的产品可供选择。 从降低成本上考虑，采用第三种方式实现大容量数据存储功能。结合1gs/s数据采集系统的要求，存储深度为4mb。选择issi公司的静态ram，由8片is61lv25616构成4mb测试数据的存储。 数据存储设计 ● 数据流控制 adc为双通道500ms/s的转换率，8bit的垂直分辨率，转换数据的输出是每通道i、q两个方向上差动输出，在差动时钟500mhz的驱动下，可以实现1gs/s的实时采样率，由adc输出的4路转换数据流输出分别为250ms/s。而is61lv256系列ram的速度级别为10ns或12ns，这样数据必须经过fpga进行缓存以后，才可以再次存入ram。 is61lv25616系列ram芯片有16位数据线，18位地址宽
ce1=write &port8#ce &!(write &port9)#ce &port8; ce2=write & portb#ce&!(write & portc)#ce &portb; we=write & (port0#port1); re=read&port0; 4 软件流程 下面重点介绍通过单片机对am30lv0064d进行数据编程的软件流程：单片机启动编程程序，将is61lv256中的数据读出后再写到flash中，每次写512字节的数据（半页为256字节）。然后，对相应页进行编程，编程命令字写入后定期查询ry/by引脚，看编程是否已经完成，如果完成再读取flash的状态寄存器，可以知道编程是否成功。具体流程。 来源:ks99
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