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动性不强，所以不适用于航空航天等恶劣环境下使用。基于半导体存储芯片闪存的固态存储器(ssd)的出现很好的解决了以上问题。ssd作为储存介质，没有机械转动部件、存储密度高、可靠性高、体积小、重量轻，并且抗震动、抗冲击、温度适应范围宽，具有很强的环境适应性，可以满足苛刻条件下的数据储存要求，因此，高性能大容量固态存储器已成为军用重大项目中的只要数据储存方式。 1 nand flash memory的控制要求 1．1 nand flasi-1存储器结构功能介绍 我们选用的是三星公司的k9k8g08uom型flash芯片作为存储系统的介质，该款nand f1ash存储容量为8448mbit，其中主数据区为8192m bit，辅助数据区为256mbit，工作电压为2．7v~3．6v，i／o端口的宽度为8位。nand flash不同于nor flash，nor flash在出厂时不容许芯片有坏块存在，而nand flash容许成品中存在坏块，这是nand技术所特有的现象。 芯片内的8448m bit内存是按块和页的概念来组织的，一个flash存储器包含8192块(block)，每块包含64页(
都采用网络标号的方法，而标号的命名基本采用引脚名称。单片机的p1端口的位操作控制flash的控制端，p0端口作为单片机和flash的地址和数据传输端口。其中数据的流向采用p1．6和p1．7控制，要读取flash的数据时，如读id时，先对单片机的p1端口位操作，依照时序设置控制字，接着由单片机的po端口输出读取id的命令，然后设置写地址的控制字，输入地址00h。读状态时，连续的re脉冲可输出id代码。页读取操作与此类似。图2为单片机电路连接图。 2．2 flash存储器的连接 k9k8g08uom是采用nand技术的1 gb大容量、高可靠、非易失性flash存储器，具有高密度、高性能特点。其无效块定义为包含有一个或更多无效字节，且其可靠性不能被保证，则无效块中的信息称为无效块信息。和所有的有效块一样，它具有相同的ac和dc参数，一个无效块不会影响有效块的运行，因为它有相应独立的指令资源依靠选择晶体管，该系统设计必须通过地址掩盖其无效块。第l块(地址是ooh)为了保证是有效块，不要求纠错l k编程／擦除周期。 除了先装载好的无效块信息，所有器件的存储单元都被擦除，无效块状态定义在空余
sp slice,而且fpga中的xtremedsp slice可通过ip核的形式方便地调用。同时xtremedsp slice中每个乘法器或累加器都能独立使用，在xc4vsx25中可方便地将乘法器和累加器组合，构成所需要的数据处理结构，所以采用xc4vsx25为系统的数据处理器。 光电转换部分采用pinfet,是目前比较通用的光电转换器件。模数转换模块采用的是12位双通道差分输入sar型ad7356,结构简单实用。大容量存储模块采用sumsung公司具有200 μs的页写速度的1 gb容量k9k8g08uom型flash,可以满足系统的实时性，并能够存储较长时间的扰动信号。lcd模块采用的是3.3 v单电源供电的320x240大屏幕点阵液晶zxm320240e1,有足够的空间将多路的情况同时显示在屏幕上，而且由于系统选用fpga的管脚电压为3.3v,可以避免电平转换，电路简洁。usb通信模块采用的是集成了8051单片机的cy7c68013a型usb控制器。 其中a/d转换部分由于系统要求16路。每路12位1~5 m采样速率，并且由于系统的扰动定位算法采用相关检测法，是对时间延迟进行检测，因此需要
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