k9wag08u1m供应商_k9wag08u1m中文资料_k9wag08u1mPDF下载地址价格行情【维库电子市场网】

更多>

FAT文件系统在NAND Flash存储器上的改进设计
用前就足坏块，需要在初次使用时进行坏块检测并标记，禁止数据写入，由于存储器每一块的内部结构都是相互独立的，坏块并不影响系统的操作。在设计nand flash文件系统前，首先要了解其内部结构。目前市面上的nand flash芯片单片容量已高达lgb，存储器容量最高达4gb(由4片1gb的芯片封装而成)。知名的nand flash制造商有samsung、tashiba等公司。下面以samsung公司的k9wag08ulm为例，说明大容量nand flash芯片的组织结构。在k9wag08u1m中，页(page)是最基本的组织单位。每页有2048+64=2112字节，64页构成一个块。(block)，每块的容量是(2048+64)×64=(128kb+4kb)，芯片共8192块，总存储容量为(128kb+4kb)×8192=lgb+32mb。存储器每页带有64字节的冗余字节。整个芯片共计32 mb的冗余空间，用于存放块信息和ecc校验码等。 2 fiash文件系统的应用特点目前嵌入式设备的flash文件系统主要有3种：m-systems公司的t

K9WAG08U1M
电源电压：Vcc＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(1G＋32M)×8位,数据存储器：(2K＋64)×8位；自动编程和擦除：页编程：(2K＋64)字节,块擦除：(128K＋4K)字节；页读操作：页大小：(2K64)字节,随机存取：20μs(最大值),串行访问：25ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：1.5ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：48引脚的TSOP封装,52引脚的TLGA封装

世俱杯 2025