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k9wag08u1m供应商优质现货

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  • FAT文件系统在NAND Flash存储器上的改进设计

    用前就足坏块,需要在初次使用时进行坏块检测并标记,禁止数据写入,由于存储器每一块的内部结构都是相互独立的,坏块并不影响系统的操作。 在设计nand flash文件系统前,首先要了解其内部结构。目前市面上的nand flash芯片单片容量已高达lgb,存储器容量最高达4gb(由4片1gb的芯片封装而成)。知名的nand flash制造商有samsung、tashiba等公司。下面以samsung公司的k9wag08ulm为例,说明大容量nand flash芯片的组织结构。在k9wag08u1m中,页(page)是最基本的组织单位。每页有2048+64=2112字节,64页构成一个块。(block),每块的容量是(2048+64)×64=(128kb+4kb),芯片共8192块,总存储容量为(128kb+4kb)×8192=lgb+32mb。存储器每页带有64字节的冗余字节。整个芯片共计32 mb的冗余空间,用于存放块信息和ecc校验码等。 2 fiash文件系统的应用特点 目前嵌入式设备的flash文件系统主要有3种:m-systems公司的t

  • K9WAG08U1M

    K9WAG08U1M引脚图电源电压:Vcc=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(1G+32M)×8位,数据存储器:(2K+64)×8位; 自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节,块擦除:(128K+4K)字节; 页读操作:页大小:(2K64)字节,随机存取:20μs(最大值),串行访问:25ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:1.5ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 指令存储器操作; 封装:48引脚的TSOP封装,52引脚的TLGA封装

k9wag08u1m替代型号

K9W8G08U1M K9T1G08U0M K9LBG08U0M K9K8G08UOM K9K8G08U0M K9K4G08UOM-YCB0 K9K4G08U0M K9K4G08 K9K2G16U0M K9K2G08UOM

K9WBG08U1M KA10 KA1M0380R KA1M0680R KA1M0880 KA2101 KA2107 KA2131 KA2138 KA2140

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