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以减少电磁干扰；用户可选择控制关键扩频参数，以最有效降低emi,实现灵活控制，确保不影响电压纹波和高效率等关键性能指标；降低整个频谱emi达4至10 db;减少或消除笨重昂贵的输入emi电容。 p3p85r01a是以太网应用mii接口有源emi解决方案，可降低1倍lvcmos峰值emi,输入频率范围为75-200 mhz,输出频率范围75-200 mhz;pll旁路模式频率范围为100 hz-200 mhz;另外还有模拟偏差选择、模拟输入输出延迟控制、模拟pll输出延迟控制等功能。 p2042a是扩频用有源emi抑制器件，可提供高达15 db的emi抑制；生成1倍低emi扩频时钟输出；30-110 mhz输入/输出频率范围；可优化为32.5、54、65、74和108 mhz像素时钟频率；内部环路滤波可最大限度减少外部元件和电路板空间；支持大多数移动图形加速器和lcd时序控制器规格。在机顶盒的ddr存储器emi抑制应用中，使用p3p816711a可降低1倍lvcmos峰值emi,可30 mhz的输入参考时钟，并提供30 mhz ± 0.3%输出时钟。图7:机顶盒应用的dd

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