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rf3178中文资料

  • 基于3G手机的RF屏蔽设计

    und)容易地流灌整个模块,这是模块化组装所必需的。但根据本文前述的波导理论,屏蔽效能不仅与屏蔽上开口尺寸也与开口数有关,开孔越大、数越多则效能降低得越厉害。 rfmd开发出一种已申请了专利的microshield集成rf屏蔽替代技术。该集成屏蔽把在一个封装好的半导体注模填料的外部再包裹上一层薄金属作为整个组装工艺的最后步骤。采用这种技术实现的屏蔽对模组高度的影响微乎其微且在降低emi和rfi辐射的生产中可重复进行。 为确证microshield技术的超卓能效,在一个测试载体上,采用rf3178 txm对辐射进行了测试(图1)。 测试结果清楚表明,两种屏蔽技术在性能上差别显著:microshield明显优于嵌入式屏蔽技术。平均看,在辐射衰减方面,microshield集成rf屏蔽技术比嵌入式技术优于15db。 但作为txm设计师来说,取得这些结果并非唾手可得之事。从txm设计角度看,添加屏蔽给设计师带来若干问题。首先,紧挨着的屏蔽和电磁辐射电路改变了频率响应,其频响不再与“素颜(未模封)”、完全调整好的txm一致,从而改变了屏蔽后电路的性能。特别是在更高频率可更好地

rf3178替代型号

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