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16 PIN DIP SINEWAVE
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~r15选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器;r9、r11和r16均选用1/2w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 rpl，rp3均选用有机实心可变电阻器。 cl~c4和c6均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c5和cll均选用独石电容器;c7、c8和clo均选用耐压值为250v的铝电解电容器;c9选用耐压值为5ov的铝电解电容器。 vd1~vd4均选用in4007型硅npn晶体管。 vl选用s9013或3dg6型硅npn晶体管;v2选用s8050或3dgl2型硅npn晶体管;v3选用dd0l或sd03型硅npn晶体管。 vu选用bt33型单结晶体管。 vtl选用mcrl00-6型晶闸管;vt2选用3ct3/450v型晶闸管。 vf选用3dj6型场效应晶体管。 icl选用cd4528型双单稳态触发器集成电路;ic2选用ne555型时基集成电路;ic3选用kd9561型音效集成电路。 t1使用e型铁氧体磁心和高强度漆包线绕制，wl绕组用φo·51mm的漆包线绕60~70匝;w2用φo·29mm的漆包线绕25-30匝;w3用φ0·7mm的漆包线绕500~600匝。t2使用14in黑白电视
振荡频率。 元器件选择 r1～r5选用1／4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 rpi选用小型实心电位器或可变电阻器；rp2和rp3选用小型合成膜电位器或可变电阻器。 c1选用耐压值为25v的铝电解电容器；cz选用耐压值为16v的铝电解电容器；c3和c4均选用独石电容器；c5选用耐压值为400v以上的cbb电容器。 vd1～vd4均选用1 n4007型硅整流二极管；vd5选用1n4148型硅开关二极管。 vl选用φ3mm的高亮度发光二极管。 v1选用dd01或sd03型硅npn晶体管；v2选用bu406或3dd15型硅npn晶体管。 ic1选用lm7812或an7812型三端稳压集成电路；ic2选用ne555或561555型时基集成电路。 t1选用3～5w、二次电压为15v的电源变压器；”使用高压电击器用脉冲变压器或黑白电视机的行输出变压器。 s选用5a、220v的电源开关。 高压电极采用两根裸导线制成灯笼状电网。 el选用3w的紫外灯管，安装在灯笼电网内。
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