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sd12中文资料

  • 放大器电气过应力EOS问题分析

    一个运算放大器引脚上所用的内部 esd 单元，则只要内部器件能够完全保护各个运算放大器引脚就可以去除一些外部器件。 图 9 完整的外部 eos 保护图中翻译： (标题) 实现完整的 eos 保护所添加的外部组件(external components added to provide complete eos protection) (左上) rf 和 ri 限制了流经 sdi2 和 sdi4 的电流(rf and ri limit current through sd12 and sd14) (左中) sdlx 为小信号肖特基二极管，并将输入电压限制在 (v. +0.3) 或 (v. -0.3) 二极管泄漏会影响输入电流(scox are small signal schottky diodes and limit input voltage to(v. +0.3) 或 (v. -0.3). diode leakage affects the input current) (右上) scox 为小信号肖特基二极管。使用电源运算放大器的电源

  • SD12T1G的技术参数

    产品型号:SD12T1G
    雪崩电压VBRmin(V):13.300
    雪崩电压VBRnom(V):14.500
    雪崩电压VBRmax(V):15.750
    IT(mA):1
    最大反向漏电流IR(nA):1
    峰值反向工作电压VRWM(V):12
    最大反向浪涌电流Ipp(A):15
    最大反向电压(钳位电压)Vc(V)...

  • SD12CT1G的技术参数

    产品型号:SD12CT1G
    雪崩电压VBRmin(V):13.300
    雪崩电压VBRnom(V):－
    雪崩电压VBRmax(V):－
    IT(mA):1
    最大反向漏电流IR(nA):1
    峰值反向工作电压VRWM(V):12
    最大反向浪涌电流Ipp(A):15
    最大反向电压(钳位电压)Vc(V):24
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