世俱杯 2025

当前位置：维库电子市场网>IC>stv200n55f3 更新时间:2025-07-04 18:28:00

stv200n55f3供应商优质现货

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stv200n55f3价格行情

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stv200n55f3中文资料

  • 特色产品:

    Mosfets in PowerSO-10 Package

  • 标准包装:

    1

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    STripFET™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    55V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    200A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    2.5 毫欧 @ 75A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    100nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    6800pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    300W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商设备封装:

    PowerSO-10

  • 包装:

    Digi-Reel?

  • 其它名称:

    497-7028-6

  • ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET

    ℃时，封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保晶片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品，st还有一款55v的产品stv200n55f3，此产品的额定连续汲极电流为200a，且其源极连线配置为4线。 stv250n55f3样品已供 应中，预计于2008年第3季开始量产。

  • ST新推250A表面安装的功率MOSFET，具有最低导通电阻

    在25℃时，封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保芯片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品，st还有一款55v的产品stv200n55f3，此产品的额定连续汲极电流为200a，且其源极联机配置为4线。stv250n55f3样品已供应中，预计于2008年第3季开始量产。

stv200n55f3替代型号

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