意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

意法半导体推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1000件，单价4.50美元。 来源:小草

意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

意法半导体推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1000件，单价4.50美元。 来源:小草

ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

意法半导体推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1000件，单价4.50美元。 意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源|稳压器系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。 来源:小草

ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 500){this.width=500}" border=0> st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。 来源:小草

ST推微欧功率MOSFET晶体管，提高并联服务器电源能效

意法半导体（纽约证券交易所：stm)今天推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1000件，单价4.50美元。 详情登录st公司网站：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos 关于意法半导体（st）公司 意法半导体，

ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。

意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。

意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

意法半导体日前推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1000件，单价4.50美元。

2008年电源技术的发展趋势

电子的绿色电源产品线覆盖ac/dc电源管理芯片系列和dc/ac ccfl控制芯片系列，所有产品均采用昂宝自主知识产权的“绿色引擎”技术。参展商飞兆半导体的fan7602 绿色电流模式 pwm 控制 ic专门为离线适配器应用、dvdp、 vcr、lcd 显示器应用及辅助电源而设计。 参展商威世科技(vishay intertechnology)的首款 200v、30a双高压tmbs trench肖特基整流器具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。 参展商意法半导体的功率mosfet stv300nh02l的特性是导通电阻极低，这在要求严格的电源系统中有助于降低损耗，提高能效。参展商power integrations则采用专有的单片高压工艺将功率mosfet和控制电路集成在单个裸片上，从而获得紧凑型ic解决方案，并最大限度地降低了元器件数目和bom成本，同时提高了性能。 此外，针对要求更高的汽车应用，nec电子和atmel公司近期都推出了各自的最新电源方案。nec电子的汽车前照灯等产品的驱动ic“μpd166010”可耐压40v，并增加了电池逆接保护功能、低电压关闭功能和电流检测功能。a