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fda18n50供应商优质现货

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fda18n50中文资料

  • 飞兆推出全新FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管

    perfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm和dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如,19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%,从而实现出色的系统效率。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效、可靠的主

  • 飞兆半导体推出完整的功率器件解决方案实现高效、可靠的低噪声LCD TV电源设计

    系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii / hyperfast ii + unifet 的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm 和 dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如,19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on) (0.265 ohm @ vgs = 10v) 和很高的承受uis (非钳位感应开关) 的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%,从而实现出色的系统效率。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。(参见下表中全部的unifet产品组合。

  • 飞兆半导体发布全新Stealth II和Hyperfast II二极管技术

    t技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii / hyperfast ii + unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm和dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如,19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265 ohm @ vgs = 10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%,从而实现出色的系统效率。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高

  • 飞兆功率器件解决方案可改善EMI和MOSFET开关损耗

    术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm和dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如,19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%,从而实现出色的系统效率。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效

fda18n50替代型号

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