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当前位置：维库电子市场网>IC>fdb2614 更新时间:2025-07-24 01:21:56

fdb2614供应商优质现货

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fdb2614价格行情

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历史最低报价：￥1.2000 历史最高报价：￥34.0000 历史平均报价：￥12.1500

fdb2614中文资料

  • 飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fom及采用紧凑

  • 飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fo

  • 飞兆半导体FDB2614和FDB2710为等离子体显示板提供高效率

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应，有助于提高系统的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括： 最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷，具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg

fdb2614替代型号

FDB045AN FDA18N50 FD700 FD502 FD501 FD110 fd100 FCW301Z FCPF22N60NT FCPF16N60NT

FDB2710 FDB8860 FDC37C935 FDC6020C FDC6321C FDC633N FDC636P FDD4141 FDD6035AL FDD6682

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